Источник: news.samsung.com
Согласно сообщению Samsung, на выставке GTC, проходящей с 16 по 19 марта, компания демонстрирует комплексную линейку технологий для систем искусственного интеллекта — от памяти и логики до контрактного производства и передовых методов упаковки чипов.
Центральным элементом экспозиции стала шестая генерация высокоскоростной памяти HBM4, производство которой уже запущено. По данным компании, такие микросхемы обеспечивают скорость передачи данных около 11,7 гигабита в секунду на вывод и могут быть ускорены до 13 гигабит в секунду.
Samsung также впервые продемонстрировала следующее поколение памяти — HBM4E. По данным компании, этот чип обеспечивает скорость до 16 гигабит в секунду на вывод и пропускную способность до 4 терабайт в секунду, что ориентировано на использование в центрах обработки данных нового поколения.
Кроме того, компания представила технологию гибридного медного соединения (Hybrid Copper Bonding), которая позволяет создавать многослойные структуры памяти — 16 слоёв и более — и снижает тепловое сопротивление более чем на 20% по сравнению с традиционным методом термокомпрессионного соединения.
Отдельная часть экспозиции посвящена сотрудничеству Samsung с американской компанией NVIDIA. В частности, представлены решения памяти и хранения данных, предназначенные для инфраструктуры искусственного интеллекта, включая модули SOCAMM2 и корпоративные твердотельные накопители серии PM1763.
Источник: news.samsung.com
Компания также сообщила о планах использования ускоренных вычислений NVIDIA для развития так называемых «AI-фабрик» — производственных систем, в которых цифровые двойники и программные инструменты платформы Omniverse применяются для оптимизации процессов проектирования и производства полупроводников.
Ожидается, что исполнительный вице-президент и руководитель центра искусственного интеллекта подразделения Device Solutions Samsung Ён Хо Сон выступит с презентацией о сотрудничестве двух компаний в рамках отдельной сессии конференции 17 марта.
Также на выставке демонстрируются решения памяти для локальных систем искусственного интеллекта и мобильных устройств, включая модули LPDDR5X и LPDDR6, а также твердотельные накопители для персональных систем ИИ.